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सैमसंग चिप्स के विकास में आगे बढ़ना जारी रखता है जो अपने मोबाइल टर्मिनलों के प्रदर्शन, ऊर्जा अनुकूलन और स्वायत्तता में काफी सुधार करता है। इन शब्दों में, यह सिर्फ घोषणा की है कि इसके इंजीनियर 'गेट-ऑल-अराउंड' तकनीक से निर्मित एक नई तीन-नैनोमीटर चिप विकसित करने की प्रक्रिया में हैं, जो वर्तमान FinFET crimping प्रणाली की जगह लेती है। तीन नैनोमीटर में निर्मित इस नई चिप के साथ, हम एक सच्चे विकास के साक्षी बनेंगे, जो कृत्रिम बुद्धिमत्ता और स्वायत्त ड्राइविंग की नई तकनीकों के अनुकूल है।
3-नैनोमीटर के चिप्स वर्तमान की तुलना में आधी बैटरी का उपयोग करेंगे
अगर हम तीन नैनोमीटर में निर्मित चिप की तुलना उन लोगों से करते हैं जिन्हें हम वर्तमान में सात नैनोमीटर में निर्मित जानते हैं, तो यह चिप के आकार को 45%, 50% कम बिजली की खपत और 35% तक दक्षता में वृद्धि को कम करेगा। सैमसंग द्वारा पेटेंट की गई नई 'गेट-ऑल-अराउंड' तकनीक एक ऊर्ध्वाधर नैनोसेट आर्किटेक्चर (1 से 10 नैनोमीटर के पैमाने पर मोटाई के साथ दो आयामी नैनोस्ट्रक्चर) का उपयोग करती है, जिससे वर्तमान फिनफाइट प्रक्रिया की तुलना में प्रति बैटरी अधिक विद्युत प्रवाह होता है।
पिछले अप्रैल में, सैमसंग ने पहले ही अपने ग्राहकों के साथ इस नई चिप के लिए पहली विकास किट साझा की, जिससे इसका बाजार लॉन्च कम हो गया और इसकी डिजाइन की प्रतिस्पर्धा में सुधार हुआ। अभी, सैमसंग इंजीनियर प्रदर्शन और ऊर्जा दक्षता में सुधार के दायरे में गहरे हैं । यदि हम पिछले सप्ताह बैटरी नहीं डाल सकते हैं, तो हमें प्रोसेसर में सुधार करना होगा।
तीन नैनोमीटर में निर्मित नई चिप के अलावा, सैमसंग ने इस साल की दूसरी छमाही में, छह नैनोमीटर में निर्मित उपकरणों के लिए प्रोसेसर का बड़े पैमाने पर उत्पादन शुरू करने की योजना बनाई है। FinFET प्रक्रिया है कि पांच नैनोमीटर को इकट्ठा करने के लिए वर्ष के अंत तक प्रदर्शित होने की उम्मीद है और अगले साल की पहली छमाही के लिए इसके बड़े पैमाने पर उत्पादन की उम्मीद है। इसके अलावा, कंपनी इस साल के अंत में चार-नैनोमीटर प्रोसेसर के विकास की भी तैयारी कर रही है । किस बिंदु पर तीन नैनोमीटर में निर्मित लंबे समय से प्रतीक्षित चिप्स दिखाई देंगे? यह कहना अभी बाकी है।
